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safety equipment

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application overview

industrial electronic products mainly include low-voltage inverters, high-voltage inverters, motion control, sensors, field instruments, display control instruments, analytical test instruments, power supplies, etc. mainly use the combination of electronic, electrical, mechanical and software to realize factory automation control. mainly refers to the use of computer technology, microelectronic technology, electrical means to make the factory's production and manufacturing process more automated, efficient and precise, and has controllability and visibility.

safety equipment

high power resistance
- series：ur
  power (w)：1/8w~1w
  specification：0402（1005） 0603（1608） 0805（2012） 1206（3216） 1210（5025） 2512（6432）
  temperature coefficient：pls see detail in datasheet
  accuracy：1% 5%
  block：pls see detail in datasheet
- series：ch
  power (w)：1/10w~2w
  specification：0402（1005） 0603（1608） 0805（2012） 1206（3216） 1210（5025） 2512（6432）
  temperature coefficient：pls see detail in datasheet
  accuracy：1% 5%
  block：0.05ω~1ω
- series：ch
  power (w)：1/10w~2w
  specification：0402（1005） 0603（1608） 0805（2012） 1206（3216） 1210（5025） 2512（6432）
  temperature coefficient：pls see detail in datasheet
  accuracy：1% 2% 5%
  block：1ω~10mω
anti-surge resistance
- series：rs
  power (w)：1/10w~1w
  specification：0603（1608） 0805（2012） 1206（3216） 1210（5025） 2512（6432）
  temperature coefficient：pls see detail in datasheet
  accuracy：1% 2% 5% 10% 15% 20%
  block：1ω~1mω
wide electrode resistance
- series：rw
  power (w)：1/3w~2w
  specification：0204（0510） 0306（0816） 0508（1220） 0612（1632） 1020（2550） 1225（3264）
  temperature coefficient：pls see detail in datasheet
  accuracy：1% 5%
  block：1ω~1mω
chip thick film resistor
- series：rc
  power (w)：1/10w~1/4w
  specification：0603（1608） 0805（2012） 1206（3216）
  temperature coefficient：pls see detail in datasheet
  accuracy：1% 2% 5%
  block：47ω~10mω
- series：rl
  power (w)：1/20w~1w
  specification：0201（0603） 0402（1005） 0603（1608） 0805（2012） 1206（3216） 1210（5025） 2512（6432）
  temperature coefficient：pls see detail in datasheet
  accuracy：0.1% 0.5%1% 5%
  block：1ω~1mω
- series：cr
  power (w)：1/8w~1/4w
  specification：0805（2012） 1206（3216）
  temperature coefficient：pls see detail in datasheet
  accuracy：1% 2% 5%
  block：1ω~10mω
- series：ca
  power (w)：1/16w~1/10w
  specification：ca024a ca034a
  temperature coefficient：pls see detail in datasheet
  accuracy：1% 5%
  block：1ω~1mω
- series：cr
  power (w)：1/16w~1w
  specification：0402~2512
  temperature coefficient：pls see detail in datasheet
  accuracy：1% 5%
  block：0.02ω~1ω
- series：pf
  power (w)：1/20w~1w
  specification：0201（0603） 0402（1005） 0603（1608） 0805（2012） 1206（3216） 1210（5025） 2512（6432）
  temperature coefficient：pls see detail in datasheet
  accuracy：0.1% 0.5%1% 2% 5%
  block：1ω~22mω
- series：cr
  power (w)：1/20w~1w
  specification：01005（0402） 0201（0603） 0402（1005） 0603（1608） 0805（2012） 1206（3216） 1210（5025） 2512（6432）
  temperature coefficient：pls see detail in datasheet
  accuracy：0.1% 0.5% 1% 5%
  block：1ω~100mω
alloy foil chip resistor
- series：ra
  power (w)：1/8w
  specification：0201（0603）
  temperature coefficient：±150ppm/℃
  accuracy：1% 2% 5%
  block：3mω~4mω
alloy chip resistor
- series：rm
  power (w)：1.5w
  specification：2512（6432）
  temperature coefficient：±50ppm/℃
  accuracy：1% 2% 5%
  block：1mω~50mω
low resistance low tc high power thick film chip resistor
- series：ur
  power (w)：1w
  specification：2512（6432）
  temperature coefficient：±250ppm/℃ ±100ppm/℃
  accuracy：1% 5%
  block：0.010ω~0.030ω 0.033ω~0.910ω
low resistance high power thick film resistor
- series：ch
  power (w)：1/4w
  specification：0805（2012）
  temperature coefficient：pls see detail in datasheet
  accuracy：1% 5%
  block：0.05ω~1ω(不含)
- series：ch
  power (w)：1/2w
  specification：1206（3216）
  temperature coefficient：pls see detail in datasheet
  accuracy：1% 5%
  block：0.05ω~1ω(不含)
low resistance thick film chip resistors
- series：cr
  power (w)：1/8w
  specification：0805（2012）
  temperature coefficient：pls see detail in datasheet
  accuracy：1% 5%
  block：0.020ω~1ω 0.01ω~1ω
chip zener diode
- number of channels：1
  spilled power mw：mw
  repeated recovery current：200
  forward voltage v：v(max.)
  zener voltage range：2.4v~75v (2.4vonly 5%）
  maximum zener impedance (ω)：depending on voltage
  maximum zener impedance (ma)：5
  maximum zener impedance (ω)：depending on voltage
  maximum zener impedance (ma)：1
  maximum reverse leakage current (ua))：depending on voltage
- number of channels：1
  spilled power mw：mw
  repeated recovery current：200
  forward voltage v：v(max.)
  zener voltage range：2.4v~75v (2.4vonly 5%）
  maximum zener impedance (ω)：depending on voltage
  maximum zener impedance (ma)：5
  maximum zener impedance (ω)：depending on voltage
  maximum zener impedance (ma)：1
  maximum reverse leakage current (ua))：depending on voltage
- number of channels：1
  spilled power mw：mw
  repeated recovery current：200
  forward voltage v：v(max.)
  zener voltage range：2.4v~75v (2.4vonly 5%）
  maximum zener impedance (ω)：depending on voltage
  maximum zener impedance (ma)：5
  maximum zener impedance (ω)：depending on voltage
  maximum zener impedance (ma)：1
  maximum reverse leakage current (ua))：depending on voltage
- number of channels：1
  spilled power mw：mw
  repeated recovery current：200
  forward voltage v：v(max.)
  zener voltage range：2.4v~75v (2.4vonly 5%）
  maximum zener impedance (ω)：depending on voltage
  maximum zener impedance (ma)：5
  maximum zener impedance (ω)：depending on voltage
  maximum zener impedance (ma)：1
  maximum reverse leakage current (ua))：depending on voltage
- number of channels：1
  spilled power mw：mw
  repeated recovery current：200
  forward voltage v：v(max.)
  zener voltage range：2.4v~75v (2.4vonly 5%）
  maximum zener impedance (ω)：depending on voltage
  maximum zener impedance (ma)：5
  maximum zener impedance (ω)：depending on voltage
  maximum zener impedance (ma)：1
  maximum reverse leakage current (ua))：depending on voltage
- number of channels：1
  spilled power mw：mw
  repeated recovery current：200
  forward voltage v：v(max.)
  zener voltage range：5.1v~5.6v
  maximum zener impedance (ω)：depending on voltage
  maximum zener impedance (ma)：5
  maximum zener impedance (ω)：depending on voltage
  maximum zener impedance (ma)：1
  maximum reverse leakage current (ua))：<100
- number of channels：1
  spilled power mw：mw
  repeated recovery current：200
  forward voltage v：v(max.)
  zener voltage range：5.1v~5.6v
  maximum zener impedance (ω)：depending on voltage
  maximum zener impedance (ma)：5
  maximum zener impedance (ω)：depending on voltage
  maximum zener impedance (ma)：1
  maximum reverse leakage current (ua))：<100
- number of channels：1
  spilled power mw：mw
  repeated recovery current：200
  forward voltage v：v(max.)
  zener voltage range：5.1v~5.6v
  maximum zener impedance (ω)：depending on voltage
  maximum zener impedance (ma)：5
  maximum zener impedance (ω)：depending on voltage
  maximum zener impedance (ma)：1
  maximum reverse leakage current (ua))：<100
switching diode
- maximum reverse voltage (v)：75
  average rectified forward current (a)：0.15
  forward voltage (v)：1 @ if=50ma
  reverse current (ua)：0.025 @ vr=20v 2.5 @ vr=75v
  package：dfn1006-2
- maximum reverse voltage (v)：30
  average rectified forward current (a)：0.1
  forward voltage (v)：0.46 @ if=10ma
  reverse current (ua)：0.3 @ vr=10v
  package：dfn1006-2
schottky diodes
- maximum reverse voltage (v)：30
  average rectified forward current (a)：0.1
  forward voltage (v)：0.37 @ if=10ma
  reverse current (ua)：7 @ vr=10v
  package：dfn0603-2
- maximum reverse voltage (v)：30
  average rectified forward current (a)：0.1
  forward voltage (v)：0.46 @ if=10ma
  reverse current (ua)：0.3 @ vr=10v
  package：dfn0603-2
- maximum reverse voltage (v)：30
  average rectified forward current (a)：0.1
  forward voltage (v)：0.29 @ if=10ma 0.30 @ if=20ma 0.40 @ if=100ma
  reverse current (ua)：30 @ vr=30v
  package：dfn1006-2
- maximum reverse voltage (v)：30
  average rectified forward current (a)：0.1
  forward voltage (v)：0.51 @ if=100ma
  reverse current (ua)：1 @ vr=10v
  package：dfn1006-2
- maximum reverse voltage (v)：40
  average rectified forward current (a)：0.1
  forward voltage (v)：0.34 @ if=10ma 0.55 @ if=100ma
  reverse current (ua)：10 @ vr=10v 40 @ vr=40v
  package：dfn1006-2
- maximum reverse voltage (v)：40
  average rectified forward current (a)：0.1
  forward voltage (v)：0.36 @ if=10ma 0.51 @ if=100ma
  reverse current (ua)：1 @ vr=10v 5 @ vr=40v
  package：dfn1006-2
- maximum reverse voltage (v)：30
  average rectified forward current (a)：0.2
  forward voltage (v)：0.50 @ if=200ma
  reverse current (ua)：10 @ vr=10v
  package：dfn1006-2
- maximum reverse voltage (v)：30
  average rectified forward current (a)：0.2
  forward voltage (v)：0.60 @ if=200ma
  reverse current (ua)：1 @ vr=10v
  package：dfn1006-2
- maximum reverse voltage (v)：40
  average rectified forward current (a)：0.2
  forward voltage (v)：0.33 @ if=10ma 0.52 @ if=200ma
  reverse current (ua)：10 @ vr=10v 40 @ vr=40v
  package：dfn1006-2
- maximum reverse voltage (v)：40
  average rectified forward current (a)：0.2
  forward voltage (v)：0.36 @ if=10ma 0.60 @ if=200ma
  reverse current (ua)：1 @ vr=10v 5 @ vr=40v
  package：dfn1006-2
- maximum reverse voltage (v)：20
  average rectified forward current (a)：0.5
  forward voltage (v)：0.27 @ if=10ma 0.46 @ if=500ma
  reverse current (ua)：20 @ vr=10v 30 @ vr=20v
  package：dfn1006-2
- maximum reverse voltage (v)：30
  average rectified forward current (a)：0.5
  forward voltage (v)：0.27 @ if=10ma 0.46 @ if=500ma
  reverse current (ua)：20 @ vr=10v 40 @ vr=30v
  package：dfn1006-2
- maximum reverse voltage (v)：40
  average rectified forward current (a)：0.5
  forward voltage (v)：0.27 @ if=10ma 0.46 @ if=500ma
  reverse current (ua)：20 @ vr=10v 50 @ vr=40v
  package：dfn1006-2
antistatic surge diode
- number of channels：1
  starting voltage (v)：5
  breakdown voltage (v)：5.6
  leakage current (na)：10
  antistatic ability (contact) (kv)：±25
  antistatic ability (gap) (kv)：±30
  maximum peak pulse current (a) tp = 8/20 μs：3.5
  clamping voltage (v) tp = 8/20 μs：3.5
  capacitance (pf) i/o-gnd vr=0v, f=1mhz：10
  package：dfn0603-2
- number of channels：1
  starting voltage (v)：5
  breakdown voltage (v)：6
  leakage current (na)：50
  antistatic ability (contact) (kv)：±19
  antistatic ability (gap) (kv)：±19
  maximum peak pulse current (a) tp = 8/20 μs：2
  clamping voltage (v) tp = 8/20 μs：12 @ipp=1a 15 @ipp=2a
  capacitance (pf) i/o-gnd vr=0v, f=1mhz：0.6
  package：dfn0603-2
- number of channels：1
  starting voltage (v)：3.3
  breakdown voltage (v)：3.5
  leakage current (na)：1000
  antistatic ability (contact) (kv)：±30
  antistatic ability (gap) (kv)：±30
  maximum peak pulse current (a) tp = 8/20 μs：15
  clamping voltage (v) tp = 8/20 μs：6.0 @ipp=1a 12 @ipp=15a
  capacitance (pf) i/o-gnd vr=0v, f=1mhz：30
  package：dfn1006-2
- number of channels：1
  starting voltage (v)：3.3
  breakdown voltage (v)：4
  leakage current (na)：1000
  antistatic ability (contact) (kv)：±12
  antistatic ability (gap) (kv)：±20
  maximum peak pulse current (a) tp = 8/20 μs：5
  clamping voltage (v) tp = 8/20 μs：5.5 @ipp=1a 8.0 @ipp=5a
  capacitance (pf) i/o-gnd vr=0v, f=1mhz：10
  package：dfn1006-2
- number of channels：1
  starting voltage (v)：5
  breakdown voltage (v)：6
  leakage current (na)：50
  antistatic ability (contact) (kv)：±30
  antistatic ability (gap) (kv)：±30
  maximum peak pulse current (a) tp = 8/20 μs：7.9
  clamping voltage (v) tp = 8/20 μs：9.0 @ipp=1a 17.5 @ipp=7.9a
  capacitance (pf) i/o-gnd vr=0v, f=1mhz：20
  package：dfn1006-2
- number of channels：1
  starting voltage (v)：5
  breakdown voltage (v)：6
  leakage current (na)：50
  antistatic ability (contact) (kv)：±8
  antistatic ability (gap) (kv)：±15
  maximum peak pulse current (a) tp = 8/20 μs：2
  clamping voltage (v) tp = 8/20 μs：14 @ipp=1a
  capacitance (pf) i/o-gnd vr=0v, f=1mhz：0.6
  package：dfn1006-2
- number of channels：1
  starting voltage (v)：5
  breakdown voltage (v)：6
  leakage current (na)：100
  antistatic ability (contact) (kv)：±8
  antistatic ability (gap) (kv)：±15
  maximum peak pulse current (a) tp = 8/20 μs：2
  clamping voltage (v) tp = 8/20 μs：12 @ipp=1a 17 @ipp=2a
  capacitance (pf) i/o-gnd vr=0v, f=1mhz：10
  package：dfn1006-2
- number of channels：1
  starting voltage (v)：5
  breakdown voltage (v)：6
  leakage current (na)：50
  antistatic ability (contact) (kv)：±8
  antistatic ability (gap) (kv)：±15
  maximum peak pulse current (a) tp = 8/20 μs：2
  clamping voltage (v) tp = 8/20 μs：14 @ipp=1a
  capacitance (pf) i/o-gnd vr=0v, f=1mhz：0.3
  package：dfn1006-2
- number of channels：1
  starting voltage (v)：5
  breakdown voltage (v)：6
  leakage current (na)：1000
  antistatic ability (contact) (kv)：±8
  antistatic ability (gap) (kv)：±15
  maximum peak pulse current (a) tp = 8/20 μs：10
  clamping voltage (v) tp = 8/20 μs：13.5 @ipp=10a
  capacitance (pf) i/o-gnd vr=0v, f=1mhz：80
  package：dfn1006-2
- number of channels：1
  starting voltage (v)：5
  breakdown voltage (v)：6
  leakage current (na)：50
  antistatic ability (contact) (kv)：±18
  antistatic ability (gap) (kv)：±20
  maximum peak pulse current (a) tp = 8/20 μs：3.6
  clamping voltage (v) tp = 8/20 μs：12 @ipp=1a 20 @ipp=3a
  capacitance (pf) i/o-gnd vr=0v, f=1mhz：0.5
  package：dfn1006-2
- number of channels：1
  starting voltage (v)：12
  breakdown voltage (v)：14.6
  leakage current (na)：50
  antistatic ability (contact) (kv)：±8
  antistatic ability (gap) (kv)：±16
  maximum peak pulse current (a) tp = 8/20 μs：6
  clamping voltage (v) tp = 8/20 μs：19 @ipp=1a 25 @ipp=6a
  capacitance (pf) i/o-gnd vr=0v, f=1mhz：30
  package：dfn1006-2
- number of channels：1
  starting voltage (v)：12
  breakdown voltage (v)：13.3
  leakage current (na)：50
  antistatic ability (contact) (kv)：±30
  antistatic ability (gap) (kv)：±30
  maximum peak pulse current (a) tp = 8/20 μs：5
  clamping voltage (v) tp = 8/20 μs：19 @ipp=1a 24 @ipp=5a
  capacitance (pf) i/o-gnd vr=0v, f=1mhz：60
  package：dfn1006-2
- number of channels：1
  starting voltage (v)：24
  breakdown voltage (v)：26.5
  leakage current (na)：50
  antistatic ability (contact) (kv)：±25
  antistatic ability (gap) (kv)：±25
  maximum peak pulse current (a) tp = 8/20 μs：3
  clamping voltage (v) tp = 8/20 μs：36 @ipp=1a 42 @ipp=3a
  capacitance (pf) i/o-gnd vr=0v, f=1mhz：30
  package：dfn1006-2
- number of channels：1
  starting voltage (v)：24
  breakdown voltage (v)：26.5
  leakage current (na)：50
  antistatic ability (contact) (kv)：±25
  antistatic ability (gap) (kv)：±25
  maximum peak pulse current (a) tp = 8/20 μs：3
  clamping voltage (v) tp = 8/20 μs：36 @ipp=1a 42 @ipp=3a
  capacitance (pf) i/o-gnd vr=0v, f=1mhz：35
  package：dfn1006-2
- number of channels：1
  starting voltage (v)：36
  breakdown voltage (v)：40
  leakage current (na)：100
  antistatic ability (contact) (kv)：±25
  antistatic ability (gap) (kv)：±25
  maximum peak pulse current (a) tp = 8/20 μs：1.5
  clamping voltage (v) tp = 8/20 μs：58 @ipp=1a
  capacitance (pf) i/o-gnd vr=0v, f=1mhz：20
  package：dfn1006-2
- number of channels：1
  starting voltage (v)：36
  breakdown voltage (v)：40
  leakage current (na)：100
  antistatic ability (contact) (kv)：±25
  antistatic ability (gap) (kv)：±25
  maximum peak pulse current (a) tp = 8/20 μs：1.5
  clamping voltage (v) tp = 8/20 μs：58 @ipp=1a
  capacitance (pf) i/o-gnd vr=0v, f=1mhz：30
  package：dfn1006-2
- number of channels：4
  starting voltage (v)：3.3
  breakdown voltage (v)：3.4
  leakage current (na)：100
  antistatic ability (contact) (kv)：±8
  antistatic ability (gap) (kv)：±15
  maximum peak pulse current (a) tp = 8/20 μs：4
  clamping voltage (v) tp = 8/20 μs：8 @ipp=1a 10 @ipp=3a
  capacitance (pf) i/o-gnd vr=0v, f=1mhz：0.65
  package：dfn2510-10
- number of channels：4
  starting voltage (v)：5
  breakdown voltage (v)：6
  leakage current (na)：1000
  antistatic ability (contact) (kv)：±12
  antistatic ability (gap) (kv)：±17
  maximum peak pulse current (a) tp = 8/20 μs：5
  clamping voltage (v) tp = 8/20 μs：15 @ipp=1a 25 @ipp=5a
  capacitance (pf) i/o-gnd vr=0v, f=1mhz：0.8
  package：dfn2510-10
- number of channels：4
  starting voltage (v)：5
  breakdown voltage (v)：6
  leakage current (na)：1000
  antistatic ability (contact) (kv)：±12
  antistatic ability (gap) (kv)：±17
  maximum peak pulse current (a) tp = 8/20 μs：3.4
  clamping voltage (v) tp = 8/20 μs：15 @ipp=1a 25 @ipp=3.4a
  capacitance (pf) i/o-gnd vr=0v, f=1mhz：0.4
  package：dfn2510-10